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SiR802DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.025
0.020
I D = 10 A
1
0.1
0.01
T J = 25 °C
0.015
0.010
0.005
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0.000
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.3
0.1
- 0.1
- 0.3
- 0.5
- 0.7
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
I D = 5 mA
150
120
90
60
30
0
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
0.1
T A = 25 °C
Single P u lse
0.01
B V DSS
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 65671
S10-0217-Rev. A, 25-Jan-10
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